STD3NK60Z1, Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

STD3NK60Z1, Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
26175 шт., срок 5-7 недель
170 руб.
Мин. кол-во для заказа 180 шт.
Добавить в корзину 180 шт. на сумму 30 600 руб.
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8001283384
Артикул: STD3NK60Z1
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Diodes, Transistors and Thyristors\FET Transistors\MOSFETs
Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

Технические параметры

Automotive No
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Configuration Single
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant with Exemption
Lead Shape Through Hole
Maximum Continuous Drain Current (A) 2.4
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) 3600@10V
Maximum Drain Source Voltage (V) 600
Maximum Gate Source Voltage (V) ±30
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Maximum Power Dissipation (mW) 45000
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Mounting Through Hole
Number of Elements per Chip 1
Packaging Tube
Part Status Active
PCB changed 3
Pin Count 3
PPAP No
Process Technology SuperMESH
Product Category Power MOSFET
Standard Package Name TO-251
Supplier Package IPAK
Supplier Temperature Grade Industrial
Tab Tab
Typical Fall Time (ns) 14
Typical Gate Charge @ 10V (nC) 11.8
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) 11.8@10V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) 311@25V
Typical Rise Time (ns) 14
Typical Turn-Off Delay Time (ns) 19
Typical Turn-On Delay Time (ns) 9
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 997 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.