SSM3K15AMFV,L3F, Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin VESM T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4095 шт., срок 6-8 недель
64 руб.
Мин. кол-во для заказа 490 шт.
Добавить в корзину 490 шт.
на сумму 31 360 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
МОП-транзистор SM Sig N-CH MOS 30V 0.1A 20V VGSS
Технические параметры
| EU RoHS | Compliant |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Product Category | Small Signal |
| Material | Si |
| Configuration | Single |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 30 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 0.1 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 3600@4V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 13.5@3V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Automotive | No |
| Pin Count | 3 |
| Supplier Package | VESM |
| Military | No |
| Mounting | Surface Mount |
| Package Length | 1.2 |
| Package Width | 0.8 |
| PCB changed | 3 |
| Id - непрерывный ток утечки | 100 mA |
| Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3.6 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 800 mV |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 0.5 mm |
| Длина | 1.2 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | U-MOSIII |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 8000 |
| Серия | SSM3K15 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 35 ns |
| Типичное время задержки при включении | 5.5 ns |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка / блок | SOT-723-3 |
| Ширина | 0.8 mm |
| Base Product Number | TLP4202 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 100mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 13.5pF @ 3V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | SOT-723 |
| Power Dissipation (Max) | 150mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6Ohm @ 10mA, 4V |
| RoHS Status | RoHS Compliant |
| Series | U-MOSIII -> |
| Supplier Device Package | VESM |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 100ВµA |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet SSM3K15AMFV,L3F
pdf, 220 КБ
Datasheet SSM3K15AMFV,L3F
pdf, 225 КБ
Datasheet SSM3K15AMFV.L3F
pdf, 220 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
