MMBTA42-7-F, Транзистор: NPN; биполярный; 300В; 0,5А; 300мВт; SOT23

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

13 руб.

Кратность заказа 25 шт.

от 100 шт. — 9 руб.

от 500 шт. — 7.70 руб.

Добавить в корзину 25 шт. на сумму 325 руб.

Номенклатурный номер: 8003017206

Артикул: MMBTA42-7-F

Бренд: DIODES INC.

Описание Транзистор: NPN; биполярный; 300В; 0,5А; 300мВт; SOT23 Характеристики

Brand	Diodes Incorporated
Collector- Base Voltage VCBO	300 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	300 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	0.5 V
Configuration	Single
Continuous Collector Current	0.5 A
DC Collector/Base Gain Hfe Min	40
Emitter- Base Voltage VEBO	6 V
Factory Pack Quantity	3000
Gain Bandwidth Product FT	50 MHz
Manufacturer	Diodes Incorporated
Maximum DC Collector Current	0.5 A
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	SOT-23-3
Packaging	Cut Tape or Reel
Pd - Power Dissipation	300 mW
Product Category	Bipolar Transistors-BJT
Product Type	BJTs-Bipolar Transistors
Series	MMBTA42
Subcategory	Transistors
Transistor Polarity	NPN
Maximum Collector Base Voltage	300 V
Maximum Collector Emitter Voltage	300 V
Maximum Emitter Base Voltage	6 V
Maximum Power Dissipation	300 mW
Minimum DC Current Gain	40
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-23
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Type	NPN
Вес, г	0.03