MJB44H11G, Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 10 А, 50 Вт

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

310 руб.

Мин. кол-во для заказа 2 шт.

от 9 шт. — 260 руб.

от 18 шт. — 238 руб.

от 36 шт. — 228 руб.

Добавить в корзину 2 шт. на сумму 620 руб.

Номенклатурный номер: 8001755337

Артикул: MJB44H11G

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы

Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 10 А, 50 Вт

Корпус	D2Pak(TO-263)
Brand	ON Semiconductor
Collector- Base Voltage VCBO	5 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	80 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	1 V
Configuration	Single
Continuous Collector Current	10 A
DC Collector/Base Gain hfe Min	60
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V
Factory Pack Quantity	800
Gain Bandwidth Product fT	50 MHz
Height	4.83 mm(Max)
Length	10.29 mm(Max)
Manufacturer	ON Semiconductor
Maximum DC Collector Current	10 A
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	TO-263-3
Packaging	Reel
Pd - Power Dissipation	50 W
Product Category	Bipolar Transistors-BJT
RoHS	Details
Series	MJB44H11
Transistor Polarity	NPN
Width	9.65 mm(Max)
Вес, г	1.2