BSR43.115
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
30 руб.
Мин. кол-во для заказа 121 шт.
от 276 шт. —
25 руб.
Добавить в корзину 121 шт.
на сумму 3 630 руб.
Альтернативные предложения6
Описание
Транзисторы и сборки биполярные
Описание Транзистор маломощный SOT89
Технические параметры
| Корпус | to243 | |
| кол-во в упаковке | 1000 | |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 80V | |
| Maximum DC Collector Current | 1A | |
| Pd - Power Dissipation | 1.35W | |
| Transistor Type | NPN | |
| Maximum Collector Base Voltage | 90 V | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 80 V | |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V | |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
| Maximum Power Dissipation | 1.35 W | |
| Minimum DC Current Gain | 30 | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Package Type | SOT-89 | |
| Pin Count | 3 | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Вес, г | 0.195 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
