SKM50GB12T4
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 дня
6 830 руб.
от 5 шт. —
6 040 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 6 830 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Модули IGBT
Описание Транзистор БТИЗ SKM50GB12T4 от компании SEMIKRON - высокопроизводительное устройство, предназначенное для эффективной работы в широком спектре электронных применений. Этот IGBT транзистор характеризуется монтажом на винтах, что обеспечивает надёжное соединение и удобство при монтаже. Коллектор транзистора способен пропускать ток до 62 А, что гарантирует его работоспособность в условиях высокой нагрузки. Корпус SEMITRANS2 обеспечивает отличное теплоотведение и механическую защиту компонентов. Используйте SKM50GB12T4 для повышения эффективности ваших электронных систем. Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | БТИЗ |
Вид | IGBT |
Монтаж | винтами |
Ток коллектора, А | 62 |
Корпус | SEMITRANS2 |
Технические параметры
кол-во в упаковке | 8 |
Channel Type | N |
Configuration | Dual Half Bridge |
Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
Maximum Continuous Collector Current | 81 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Minimum Operating Temperature | -40 °C |
Mounting Type | Panel Mount |
Package Type | SEMITRANS2 |
Pin Count | 7 |
Transistor Configuration | Series |
Вес, г | 310 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.