PUMH11,115, Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.3 Вт, 230 МГц, 10 кОм+10 кОм
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5740 шт. со склада г.Москва, срок 2-3 недели
9 руб.
Мин. кол-во для заказа 54 шт.
от 273 шт. —
7 руб.
от 545 шт. —
5.50 руб.
от 1090 шт. —
4.80 руб.
Добавить в корзину 54 шт.
на сумму 486 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Сборки цифровых транзисторов
Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.3 Вт, 230 МГц, 10 кОм+10 кОм
Технические параметры
Корпус | TSSOP6 | |
Вид монтажа | SMD/SMT | |
Высота | 1 mm | |
Длина | 2.2 mm | |
Другие названия товара № | 934049930115 | |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным | |
Квалификация | AEC-Q101 | |
Конфигурация | Dual | |
Максимальная рабочая температура | + 150 C | |
Минимальная рабочая температура | 65 C | |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V | |
Непрерывный коллекторный ток | 100 mA | |
Пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA | |
Подкатегория | Transistors | |
Полярность транзистора | NPN | |
Размер фабричной упаковки | 3000 | |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased | |
Типичное входное сопротивление | 10 kOhms | |
Типичный коэффициент деления резистора | 1 | |
Торговая марка | Nexperia | |
Упаковка / блок | TSSOP-6 | |
Ширина | 1.35 mm | |
Base Product Number | PUMH11 -> | |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA | |
Current - Collector Cutoff (Max) | 1ВµA | |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V | |
ECCN | EAR99 | |
HTSUS | 8541.21.0095 | |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | |
Mounting Type | Surface Mount | |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® | |
Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
Power - Max | 300mW | |
REACH Status | REACH Unaffected | |
Resistor - Base (R1) | 10kOhms | |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10kOhms | |
RoHS Status | ROHS3 Compliant | |
Supplier Device Package | 6-TSSOP | |
Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) | |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500ВµA, 10mA | |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V | |
Collector-Emitter Breakdown Voltage | 50V | |
Maximum DC Collector Current | 100mA | |
Pd - Power Dissipation | 300mW | |
RoHS Compliant | Yes | |
Maximum Collector Emitter Voltage | 50 V | |
Maximum Emitter Base Voltage | 10 V | |
Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
Number of Elements per Chip | 2 | |
Package Type | UMT | |
Pin Count | 6 | |
Transistor Configuration | Isolated | |
Typical Input Resistor | 10 kΩ | |
Typical Resistor Ratio | 1 | |
Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.