PUMH11,115, Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.3 Вт, 230 МГц, 10 кОм+10 кОм

Фото 1/5 PUMH11,115, Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.3 Вт, 230 МГц, 10 кОм+10 кОм
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
5740 шт. со склада г.Москва, срок 2-3 недели
9 руб.
Мин. кол-во для заказа 54 шт.
от 273 шт.7 руб.
от 545 шт.5.50 руб.
от 1090 шт.4.80 руб.
Добавить в корзину 54 шт. на сумму 486 руб.
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8001804929
Артикул: PUMH11,115
Бренд: Nexperia B.V.

Описание

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Сборки цифровых транзисторов
Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.3 Вт, 230 МГц, 10 кОм+10 кОм

Технические параметры

Корпус TSSOP6
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1 mm
Длина 2.2 mm
Другие названия товара № 934049930115
Категория продукта Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Квалификация AEC-Q101
Конфигурация Dual
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 65 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V
Непрерывный коллекторный ток 100 mA
Пиковый постоянный ток коллектора 100 mA
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Размер фабричной упаковки 3000
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Типичное входное сопротивление 10 kOhms
Типичный коэффициент деления резистора 1
Торговая марка Nexperia
Упаковка / блок TSSOP-6
Ширина 1.35 mm
Base Product Number PUMH11 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 1ВµA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V
ECCN EAR99
HTSUS 8541.21.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Power - Max 300mW
REACH Status REACH Unaffected
Resistor - Base (R1) 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 10kOhms
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package 6-TSSOP
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500ВµA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Collector-Emitter Breakdown Voltage 50V
Maximum DC Collector Current 100mA
Pd - Power Dissipation 300mW
RoHS Compliant Yes
Maximum Collector Emitter Voltage 50 V
Maximum Emitter Base Voltage 10 V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Number of Elements per Chip 2
Package Type UMT
Pin Count 6
Transistor Configuration Isolated
Typical Input Resistor 10 kΩ
Typical Resistor Ratio 1
Вес, г 0.05

Техническая документация

Datasheet
pdf, 707 КБ
Datasheet
pdf, 901 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet PUMH11,115
pdf, 56 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.