BSS138BKW,115, Транзистор полевой N-канальный 60В 0,32А 0.31Вт

Фото 1/9 BSS138BKW,115, Транзистор полевой N-канальный 60В 0,32А 0.31Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
3684 шт. со склада г.Москва, срок 2-3 недели
17 руб.
Мин. кол-во для заказа 28 шт.
от 143 шт.13 руб.
от 285 шт.12 руб.
от 570 шт.11 руб.
Добавить в корзину 28 шт. на сумму 476 руб.
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8001804937
Артикул: BSS138BKW,115
Бренд: Nexperia B.V.

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 60В 0,32А 0.31Вт

Технические параметры

Корпус sot-323
Id - непрерывный ток утечки 320 mA
Pd - рассеивание мощности 310 mW
Qg - заряд затвора 0.6 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 1.6 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 60 V
Vgs - напряжение затвор-исток 10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 480 mV
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 5 ns
Время спада 20 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Продукт MOSFET Small Signal
Размер фабричной упаковки 3000
Серия BSS138BKW
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel Trench MOSFET
Типичное время задержки выключения 38 ns
Типичное время задержки при включении 5 ns
Торговая марка Nexperia
Упаковка / блок SOT-323-3
кол-во в упаковке 3000
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 320 mA
Maximum Drain Source Resistance 1.6 Ω
Maximum Drain Source Voltage 60 V
Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage 1.6V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 310 mW
Minimum Gate Threshold Voltage 0.48V
Minimum Operating Temperature -55 °C
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type SOT-323
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Transistor Material Si
Typical Gate Charge @ Vgs 0.6 nC @ 4.5 V
Width 1.4mm
Lead Finish Tin
Max Processing Temp 260
Mounting Surface Mount
Operating Temperature -55 to 150 °C
RDS-on 1600@10V mOhm
Typical Fall Time 20 ns
Typical Rise Time 5 ns
Typical Turn-Off Delay Time 38 ns
Typical Turn-On Delay Time 5 ns
Вес, г 0.02

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 854 КБ
Datasheet BSS138BKW,115
pdf, 1580 КБ
Datasheet BSS138BKW.115
pdf, 1390 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.