Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › Diodes › FZT751TA, Биполярный транзистор PNP 60В 3A SOT-223

FZT751TA, Биполярный транзистор PNP 60В 3A SOT-223

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

38 руб.

Мин. кол-во для заказа 12 шт.

от 65 шт. — 31 руб.

от 130 шт. — 28 руб.

от 260 шт. — 26 руб.

Добавить в корзину 12 шт. на сумму 456 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8001818137

Артикул: FZT751TA

Бренд: DIODES INC.

Описание

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы

Биполярный транзистор PNP 60В 3A SOT-223

Технические параметры

Корпус	SOT-223
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0,6 В
Максимальная рабочая температура	+150 °C
Максимальная рабочая частота	140 MHz
Количество элементов на ИС	1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер	1.25 V
Длина	6.7мм
Максимальное напряжение коллектор-база	80 V
Transistor Configuration	Одинарный
Производитель	DiodesZetex
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)	60 В
Тип корпуса	SOT-223
Максимальное рассеяние мощности	2 Вт
Тип монтажа	Surface Mount
Минимальная рабочая температура	-55 °C
Ширина	3.7мм
Максимальный пост. ток коллектора	3 A
Тип транзистора	PNP
Высота	1.65мм
Число контактов	3 + Tab
Размеры	1.65 x 6.7 x 3.7мм
Максимальное напряжение эмиттер-база	5 В
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току	40
Collector-Emitter Breakdown Voltage	60V
Maximum DC Collector Current	3A
Pd - Power Dissipation	2W
Transistor Type	PNP
Automotive	No
Configuration	Single Dual Collector
ECCN (US)	EAR99
EU RoHS	Compliant with Exemption
Lead Shape	Gull-wing
Material	Si
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)	1.25@100mA@1A
Maximum Collector Base Voltage (V)	80
Maximum Collector Cut-Off Current (nA)	100
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)	0.3@100mA@1A\|0.6@300mA@3A
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)	60
Maximum DC Collector Current (A)	3
Maximum Emitter Base Voltage (V)	7
Maximum Operating Temperature (°C)	150
Maximum Power Dissipation (mW)	3000
Maximum Transition Frequency (MHz)	140(Typ)
Minimum DC Current Gain	70@50mA@2V\|100@500mA@2V\|80@1A@2V\|40@2A@2V
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Mounting	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Packaging	Tape and Reel
Part Status	Active
PCB changed	3
Pin Count	4
PPAP	No
Product Category	Bipolar Power
Standard Package Name	SOT
Supplier Package	SOT-223
Supplier Temperature Grade	Automotive
Tab	Tab
Type	PNP
Brand:	Diodes Incorporated
Collector- Base Voltage VCBO:	80 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	60 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	450 mV
Configuration:	Single
Continuous Collector Current:	-3 A
Emitter- Base Voltage VEBO:	7 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	1000
Gain Bandwidth Product fT:	140 MHz
Manufacturer:	Diodes Incorporated
Maximum DC Collector Current:	3 A
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Package / Case:	SOT-223-4
Pd - Power Dissipation:	2 W
Product Category:	Bipolar Transistors-BJT
Product Type:	BJTs-Bipolar Transistors
Series:	FZT751
Subcategory:	Transistors
Technology:	Si
Transistor Polarity:	PNP
Maximum Collector Base Voltage	80 V
Maximum Collector Emitter Voltage	-60 V
Maximum Emitter Base Voltage	5 V
Maximum Operating Frequency	140 MHz
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	2 W
Mounting Type	Surface Mount
Package Type	SOT-223(SC-73)
Вес, г	0.85