SKM200GB12E4, IGBT модуль, 1200 В, 314 А
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 шт. со склада г.Москва, срок 2 недели
14 440 руб.
от 2 шт. —
13 680 руб.
от 3 шт. —
13 240 руб.
от 4 шт. —
13 060 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 14 440 руб.
Посмотреть аналоги1
Описание
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Силовые модули IGBT
IGBT модуль, 1200 В, 314 А
Технические параметры
| Корпус | SEMITRANSR 3(Case D56) | |
| Channel Type | N | |
| Configuration | Dual Half Bridge | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V | |
| Maximum Continuous Collector Current | 314 A | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V | |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C | |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C | |
| Mounting Type | Panel Mount | |
| Package Type | SEMITRANS3 | |
| Pin Count | 7 | |
| Transistor Configuration | Series | |
| Вес, г | 500 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
