BC847BTT1G, Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А, 0.2 Вт

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

7 руб.

Мин. кол-во для заказа 76 шт.

от 197 шт. — 5 руб.

от 393 шт. — 4.30 руб.

от 785 шт. — 3.90 руб.

Добавить в корзину 76 шт. на сумму 532 руб.

Номенклатурный номер: 8001916347

Артикул: BC847BTT1G

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы

Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А, 0.2 Вт

Корпус	SC-75
Brand	ON Semiconductor
Collector- Base Voltage VCBO	50 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	45 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	0.6 V
Configuration	Single
Continuous Collector Current	0.1 A
DC Collector/Base Gain Hfe Min	200
Emitter- Base Voltage VEBO	6 V
Factory Pack Quantity	3000
Gain Bandwidth Product FT	100 MHz
Manufacturer	ON Semiconductor
Maximum DC Collector Current	0.1 A
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	SC-75-3
Packaging	Cut Tape or Reel
Pd - Power Dissipation	200 mW
Product Category	Bipolar Transistors-BJT
Product Type	BJTs-Bipolar Transistors
Series	BC847ATT1
Subcategory	Transistors
Transistor Polarity	NPN
Maximum Collector Base Voltage	50 V
Maximum Collector Emitter Voltage	45 V
Maximum Emitter Base Voltage	6 V
Maximum Operating Frequency	100 MHz
Maximum Power Dissipation	200 mW
Minimum DC Current Gain	200
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-416(SC-75)
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Type	NPN
Вес, г	0.03