MMBFU310LT1G, Полевой транзистор с PN-переходом, N-канальный, 25 В, 225 мВт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
33 руб.
Мин. кол-во для заказа 14 шт.
от 74 шт. —
26 руб.
от 148 шт. —
24 руб.
от 295 шт. —
22 руб.
Добавить в корзину 14 шт.
на сумму 462 руб.
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Транзисторы управляемые p-n переходом
Полевой транзистор с PN-переходом, N-канальный, 25 В, 225 мВт
Технические параметры
Корпус | sot-23 |
Drain Current (Idss@Vds,Vgs=0) | 24mA@10V |
FET Type | N-Channel |
Gate-Source Breakdown Voltage (V(BR)GSS) | 25V |
Gate-Source Cutoff Voltage (VGS(off)@ID) | 2.5V@1nA |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | 5pF@10V |
Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
Static Drain-Source On Resistance (RDS(on)) | - |
Total Device Dissipation (Pd) | 225mW |
Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet MMBFU310LT1G
pdf, 166 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов