MMBFU310LT1G, Полевой транзистор с PN-переходом, N-канальный, 25 В, 225 мВт

MMBFU310LT1G, Полевой транзистор с PN-переходом, N-канальный, 25 В, 225 мВт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
33 руб.
Мин. кол-во для заказа 14 шт.
от 74 шт.26 руб.
от 148 шт.24 руб.
от 295 шт.22 руб.
Добавить в корзину 14 шт. на сумму 462 руб.
Номенклатурный номер: 8001920775
Артикул: MMBFU310LT1G

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Транзисторы управляемые p-n переходом
Полевой транзистор с PN-переходом, N-канальный, 25 В, 225 мВт

Технические параметры

Корпус sot-23
Drain Current (Idss@Vds,Vgs=0) 24mA@10V
FET Type N-Channel
Gate-Source Breakdown Voltage (V(BR)GSS) 25V
Gate-Source Cutoff Voltage (VGS(off)@ID) 2.5V@1nA
Input Capacitance (Ciss@Vds) 5pF@10V
Operating Temperature -55℃~+150℃@(Tj)
Static Drain-Source On Resistance (RDS(on)) -
Total Device Dissipation (Pd) 225mW
Вес, г 0.05

Техническая документация

Datasheet MMBFU310LT1G
pdf, 166 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов