NX2301P,215, Транзистор полевой P-канальный 20В 2А 0.4Вт, 0.1 Ом
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3602 шт. со склада г.Москва, срок 2-3 недели
15 руб.
Мин. кол-во для заказа 32 шт.
от 162 шт. —
12 руб.
от 323 шт. —
9.90 руб.
от 645 шт. —
8.90 руб.
Добавить в корзину 32 шт.
на сумму 480 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой P-канальный 20В 2А 0.4Вт, 0.1 Ом
Технические параметры
Корпус | sot-23 | |
Channel Mode | Enhancement | |
Channel Type | P | |
Maximum Continuous Drain Current | 2 A | |
Maximum Drain Source Resistance | 120 mΩ | |
Maximum Drain Source Voltage | 20 V | |
Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +8 V | |
Maximum Gate Threshold Voltage | 1.1V | |
Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
Maximum Power Dissipation | 400 mW | |
Minimum Gate Threshold Voltage | 0.5V | |
Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
Mounting Type | Surface Mount | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Package Type | SOT-23 | |
Pin Count | 3 | |
Transistor Configuration | Single | |
Transistor Material | Si | |
Typical Gate Charge @ Vgs | 4.5 nC @ 10 V | |
Width | 1.4mm | |
Transistor Polarity | P Channel; Continuous Drain Current Id | |
Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.