BSS209PWH6327XTSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
99 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
48 руб.
от 10 шт. —
31 руб.
от 100 шт. —
15.25 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 198 руб.
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор полевой BSS209PWH6327XTSA1 производства INFINEON отличается высоким качеством и надежностью. Модель выполнена в SMD-корпусе PG-SOT-323, что делает ее идеальным вариантом для миниатюризированных электронных схем. С током стока 0,63 А и напряжением сток-исток 20 В, данный N-MOSFET транзистор способен обеспечить оптимальную работу в широком диапазоне областей применения. Мощность устройства составляет 0,3 Вт, а сопротивление в открытом состоянии — всего 0,55 Ом, обеспечивая высокую эффективность при минимальных потерях энергии. Код товара BSS209PWH6327XTSA1 вновь подчеркивает уникальность и качество продукции INFINEON, делая его предпочтительным выбором для разработчиков и инженеров. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Ток стока, А | 0.63 |
| Напряжение сток-исток, В | 20 |
| Мощность, Вт | 0.3 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.55 |
| Корпус | PG-SOT-323 |
Технические параметры
| Brand | Infineon Technologies |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 12000 |
| Fall Time | 4.6 ns |
| Forward Transconductance - Min | 870 mS |
| Height | 0.9 mm |
| Id - Continuous Drain Current | -630 mA |
| Length | 2 mm |
| Manufacturer | Infineon |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | SOT-323-3 |
| Packaging | Reel |
| Part # Aliases | BSS209PW BSS209PWH6327XT H6327 SP000750498 |
| Pd - Power Dissipation | 300 mW |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | -1.3 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 379 mOhms |
| Rise Time | 7 ns |
| RoHS | Details |
| Series | BSS209 |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | P-Channel |
| Transistor Type | 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 6 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 2.6 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | -20 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 12 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | -1.2 V |
| Width | 1.25 mm |
| Channel Type | P |
| Maximum Continuous Drain Current | 630 mA |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-323 |
| Pin Count | 3 |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Fall Time: | 4.6 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 0.87 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 630 mA |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | SOT-323-3 |
| Part # Aliases: | BSS209PW H6327 SP000750498 |
| Pd - Power Dissipation: | 300 mW |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 1 nC |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 550 mOhms |
| Rise Time: | 7 ns |
| Series: | BSS209 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 6 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 2.6 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V |
| Вес, г | 0.048 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
