BSP129H6327XTSA1, Транзистор МОП n- канальный 240В 0,35A 1,8Вт 6Ом S
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
120 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 120 руб.
Описание
Описание Транзистор полевой BSP129H6327XTSA1 от производителя INFINEON – это высококачественный N-MOSFET компонент, предназначенный для монтажа SMD. Благодаря тщательно проработанной конструкции, транзистор обладает током стока 0,05 А и напряжением сток-исток 240 В, что гарантирует его надежную работу в широком диапазоне электронных применений. С номинальной мощностью в 1,8 Вт и сопротивлением в открытом состоянии всего 6,5 Ом, устройство обеспечивает высокую эффективность при минимальных потерях мощности. Корпус PG-SOT223 гарантирует удобство в интеграции на печатную плату и оптимальное отведение тепла. Используйте BSP129H6327XTSA1 для повышения производительности ваших электронных схем. Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Ток стока, А | 0.05 |
| Напряжение сток-исток, В | 240 |
| Мощность, Вт | 1.8 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 6.5 |
| Корпус | PG-SOT223 |
Технические параметры
| Base Product Number | BSP129 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 350mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 240V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 0V, 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Feature | Depletion Mode |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.7nC @ 5V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 108pF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6Ohm @ 350mA, 10V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | SIPMOSВ® -> |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 108ВµA |
| Brand | Infineon Technologies |
| Channel Mode | Depletion |
| Configuration | 1 N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Fall Time | 35 ns |
| Forward Transconductance - Min | 180 mS |
| Height | 1.6 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 350 mA |
| Length | 6.5 mm |
| Manufacturer | Infineon |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Packaging | Reel |
| Part # Aliases | BSP129 H6327 SP001058580 |
| Pd - Power Dissipation | 1.8 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 5.7 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 4.2 Ohms |
| Rise Time | 4.1 ns |
| RoHS | Details |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 22 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 4.4 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 240 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | -2.1 V |
| Width | 3.5 mm |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 350 mA |
| Maximum Drain Source Resistance | 20 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 240 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Power Dissipation | 1.8 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.1V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-223 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 3.8 nC @ 5 V |
| Вес, г | 0.048 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
