BSP135H6327XTSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
460 руб.
от 2 шт. —
370 руб.
от 5 шт. —
295 руб.
от 10 шт. —
269.64 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 460 руб.
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор полевой BSP135H6327XTSA1 производства INFINEON – это современный N-MOSFET компонент, предназначенный для монтажа SMD в корпусе SOT223. Отличается надежностью и долговечностью, обладает током стока 0,12 А и напряжением сток-исток 600 В, что гарантирует высокую эффективность в широком диапазоне применений. Мощность транзистора достигает 1,8 Вт, а сопротивление в открытом состоянии составляет 60 Ом, обеспечивая оптимальное соотношение производительности и энергопотребления. Используйте BSP135H6327XTSA1 для улучшения работы ваших электронных схем. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Ток стока, А | 0.12 |
| Напряжение сток-исток, В | 600 |
| Мощность, Вт | 1.8 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 60 |
| Корпус | SOT223 |
Технические параметры
| Brand | Infineon Technologies |
| Channel Mode | Depletion |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Fall Time | 182 ns |
| Forward Transconductance - Min | 0.08 S |
| Id - Continuous Drain Current | 120 mA |
| Manufacturer | Infineon |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-223-3 |
| Packaging | Reel |
| Part # Aliases | SP001058812 |
| Pd - Power Dissipation | 1.8 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 3.7 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 25 Ohms |
| Rise Time | 5.6 ns |
| RoHS | Details |
| Series | BSP135 |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 28 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | -1.4 V |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 120 mA |
| Maximum Drain Source Resistance | 45 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Power Dissipation | 1.8 W |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-223 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 3.7 nC @ 5 V |
| Width | 3.5mm |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.1V |
| Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С |
| Описание | MOSFET N-Ch 600V 120mA SOT-223-3 |
| Способ монтажа | поверхностный(SMT) |
| Тип | MOSFET |
| Тип проводимости | N |
| Упаковка | REEL, 1000 шт. |
| Вес, г | 0.195 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
