STF4N80K5
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 шт. со склада г.Москва, срок 6-7 дней
590 руб.
от 2 шт. —
530 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 590 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Электроэлемент
N-Channel MOSFET, 3 A, 800 V, 3-Pin TO-220FP STMicroelectronics STF4N80K5
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 3 |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 2500@10V |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 800 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??30 |
| Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | 5 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 60000 |
| Military | No |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Process Technology | SuperMESH |
| Standard Package Name | TO-220 |
| Supplier Package | TO-220FP |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 10.5 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 10.5@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 175@100V |
| Maximum Continuous Drain Current | 3 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 2.5 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 20 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package Type | TO-220FP |
| Series | MDmesh K5, SuperMESH5 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 10.5 nC @ 10 V |
| Width | 4.6mm |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Fall Time: | 21 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 3 A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 20 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 10.5 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.1 Ohms |
| Rise Time: | 15 ns |
| Series: | STF4N80K5 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | MDmesh |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 36 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 16.5 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 800 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Drain Source On State Resistance | 2.1Ом |
| Power Dissipation | 20Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | MDmesh K5 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 800В |
| Непрерывный Ток Стока | 3А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Рассеиваемая Мощность | 20Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 2.1Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220FP |
| Вес, г | 0.33 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1294 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 1269 КБ
Datasheet STP4N80K5
pdf, 1290 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
