BFP843FH6327XTSA1

Фото 1/2 BFP843FH6327XTSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
160 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт.110 руб.
от 10 шт.86 руб.
от 100 шт.67.63 руб.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 320 руб.
Номенклатурный номер: 8001937174

Описание

Электроэлемент
TRANSISTOR, RF, AEC-Q101, NPN, TSFP4; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:2.6V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:125mW; DC Collector Current:55mA; DC Current Gain hFE:150hFE; RF Tra

Технические параметры

Collector Current (DC) 0.055(A)
Collector-Base Voltage 2.9(V)
Configuration Single Dual Emitter
DC Current Gain 450@15MA@1.8V
Noise Figure (Max) 1.7(dB)
Number of Elements 1
Operating Temp Range -55C to 150C
Package Type TSFP
Packaging Tape and Reel
Power Dissipation 0.125(W)
Power Gain 25(dB)
Type NPN
Другие названия товара № 843F BFP H6327 SP001062606
Категория продукта РЧ биполярные транзисторы
Подкатегория Transistors
Размер фабричной упаковки 3000
Технология Si
Тип продукта RF Bipolar Transistors
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка Reel, Cut Tape
Упаковка / блок TSFP-4
Collector Emitter Voltage Max 2.6В
Continuous Collector Current 55мА
DC Current Gain hFE Min 150hFE
DC Ток Коллектора 55мА
DC Усиление Тока hFE 150hFE
Квалификация AEC-Q101
Количество Выводов 4вывод(-ов)
Корпус РЧ Транзистора TSFP
Максимальная Рабочая Температура 150 C
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Коллектор-Эмиттер 2.6В
Полярность Транзистора NPN
Рассеиваемая Мощность 125мВт
Стандарты Автомобильной Промышленности AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора TSFP
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Вес, г 0.123

Техническая документация

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов