STP13NK60ZFP
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
36 шт. со склада г.Москва, срок 6-9 дней
640 руб.
от 2 шт. —
530 руб.
от 5 шт. —
455 руб.
от 10 шт. —
421.25 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 640 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 8,2А, 35Вт, TO220FP Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Brand | STMicroelectronics |
Channel Mode | Enhancement |
Configuration | Single |
Factory Pack Quantity | 50 |
Fall Time | 12 ns |
Forward Transconductance - Min | 11 S |
Height | 16.4 mm |
Id - Continuous Drain Current | 13 A |
Length | 10.4 mm |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | Through Hole |
Number of Channels | 1 Channel |
Package / Case | TO-220FP-3 |
Packaging | Tube |
Pd - Power Dissipation | 35 W |
Product Category | MOSFET |
Qg - Gate Charge | 66 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance | 550 mOhms |
Rise Time | 14 ns |
RoHS | Details |
Series | N-channel MDmesh |
Technology | Si |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 61 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 22 ns |
Unit Weight | 0.01164 oz |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3.75 V |
Width | 4.6 mm |
Id - непрерывный ток утечки | 13 A |
Pd - рассеивание мощности | 35 W |
Qg - заряд затвора | 66 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 550 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3.75 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 14 ns |
Время спада | 12 ns |
Высота | 16.4 mm |
Длина | 10.4 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | SuperMESH |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 11 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | STP13NK60ZFP |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 61 ns |
Типичное время задержки при включении | 22 ns |
Торговая марка | STMicroelectronics |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220FP-3 |
Ширина | 4.6 mm |
Вес, г | 1.72 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 475 КБ
STB13NK60ZT4, STx13NK60Z, STP13NK60ZFP
pdf, 489 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.