STF10N80K5
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 шт. со склада г.Москва, срок 9-10 дней
1 090 руб.
от 2 шт. —
960 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 090 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 800В, 6А, 30Вт, TO220FP Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Brand | STMicroelectronics |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Fall Time | 14 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 9 A |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Packaging | Tube |
| Pd - Power Dissipation | 30 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 22 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 470 mOhms |
| Rise Time | 11 ns |
| RoHS | Details |
| Series | MDmesh K5 |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 35 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 14.5 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 800 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3 V |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Fall Time: | 14 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 9 A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 30 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 22 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 470 mOhms |
| Rise Time: | 11 ns |
| Series: | STF10N80K5 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | MDmesh |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 35 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 14.5 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 800 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Вес, г | 0.33 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 672 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
