Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Infineon › BSC026N08NS5ATMA1

BSC026N08NS5ATMA1

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

930 руб.

от 2 шт. — 820 руб.

от 5 шт. — 740 руб.

от 10 шт. — 696.25 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 930 руб.

Номенклатурный номер: 8001941081

Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Электроэлемент

MOSFET, N-CH, 80V, 100A, TDSON; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:80V; On Resistance Rds(on):0.0022ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Powe

Технические параметры

Brand	Infineon Technologies
Channel Mode	Enhancement
Configuration	Single
Factory Pack Quantity	5000
Fall Time	16 ns
Forward Transconductance - Min	60 S
Height	1.27 mm
Id - Continuous Drain Current	100 A
Length	5.9 mm
Manufacturer	Infineon
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	SMD/SMT
Number of Channels	1 Channel
Package / Case	TDSON-8
Packaging	Reel
Part # Aliases	BSC026N08NS5 SP001154276
Pd - Power Dissipation	156 W
Product Category	MOSFET
Qg - Gate Charge	74 nC
Rds On - Drain-Source Resistance	3.9 mOhms
Rise Time	14 ns
RoHS	Details
Technology	Si
Transistor Polarity	N-Channel
Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	47 ns
Typical Turn-On Delay Time	18 ns
Unit Weight	0.01787 oz
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	80 V
Vgs - Gate-Source Voltage	20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2.2 V
Width	5.15 mm
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	184 A
Maximum Drain Source Voltage	80 V
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SuperSO8 5x6
Pin Count	8
Вес, г	0.15