IPA029N06NXKSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 000 руб.
от 2 шт. —
880 руб.
от 5 шт. —
788 руб.
от 10 шт. —
748.75 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 000 руб.
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор полевой IPA029N06NXKSA1 от производителя INFINEON представляет собой высокопроизводительный компонент для электронных схем. Модель устанавливается методом THT (сквозной монтаж) и имеет корпус PG-TO220-3-FP. Этот N-MOSFET транзистор отличается током стока до 84 А и напряжением сток-исток 60 В. С номинальной мощностью в 38 Вт и низким сопротивлением в открытом состоянии всего 0,0029 Ом, он обеспечивает эффективное управление нагрузкой с минимальными потерями. Продукт IPA029N06NXKSA1 идеально подходит для применений, требующих высокой мощности и энергоэффективности. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | THT |
| Ток стока, А | 84 |
| Напряжение сток-исток, В | 60 |
| Мощность, Вт | 38 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.0029 |
| Корпус | PG-TO220-3-FP |
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Continuous Drain Current | 84(A) |
| Drain-Source On-Volt | 60(V) |
| Gate-Source Voltage (Max) | 20(V) |
| Mounting | Through Hole |
| Number of Elements | 1 |
| Operating Temp Range | -55C to 175C |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Package Type | TO-220FP |
| Packaging | Rail/Tube |
| Pin Count | 3+Tab |
| Polarity | N |
| Power Dissipation | 38(W) |
| Rad Hardened | No |
| Type | Power MOSFET |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.0026Ом |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | OptiMOS 5 |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Непрерывный Ток Стока | 84А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.8В |
| Рассеиваемая Мощность | 38Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0026Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220FP |
| Вес, г | 3.444 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1832 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
