IPP60R040C7XKSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 750 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 750 руб.
Описание
Электроэлемент
(On):0.034Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.5V; Power Rohs Compliant: Yes |Infineon IPP60R040C7XKSA1
Технические параметры
Automotive | No |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current - (A) | 50 |
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 40@10V |
Maximum Drain Source Voltage - (V) | 600 |
Maximum Gate Source Voltage - (V) | 20 |
Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | 4 |
Maximum Power Dissipation - (mW) | 227000 |
Military | No |
Number of Elements per Chip | 1 |
Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
Packaging | Tube |
Pin Count | 3 |
Process Technology | CoolMOS C7 |
Standard Package Name | TO-220 |
Supplier Package | TO-220 |
Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 107 |
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 107@10V |
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 4340@400V |
Maximum Continuous Drain Current | 50 A |
Maximum Drain Source Resistance | 40 mO |
Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
Mounting Type | Through Hole |
Package Type | TO-220 |
Series | CoolMOS™ C7 |
Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1937 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов