SQ2318AES-T1_GE3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
270 руб.
от 2 шт. —
180 руб.
от 4 шт. —
135 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 270 руб.
Описание
Электроэлемент
MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 60V, 2.3A, SOT-23, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:2.3A, Drain Source Voltage Vds:60V, On Resistance Rds(on):0.125ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:2V, Power , RoHS Compliant: Yes
Технические параметры
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 8 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.036 O |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Series | TrenchFET |
| Вес, г | 0.156 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 269 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
