STP5NK60Z
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 шт. со склада г.Москва, срок 6-7 дней
460 руб.
от 2 шт. —
350 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 460 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Категория продукта
MOSFET, N CH, 600V, 5A, TO 220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:5A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):1.2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.75V; Power
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 5 A |
| Pd - рассеивание мощности | 90 W |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.6 Ohms |
| RoHS | Подробности |
| Vds - напряжение пробоя затвор-исток | 30 V |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 25 ns |
| Время спада | 25 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 4 S |
| Максимальная рабочая температура | +150 C |
| Минимальная рабочая температура | -55 C |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Производитель | STMicroelectronics |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Серия | STP5NK60Z |
| Типичное время задержки выключения | 36 ns |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Qg - заряд затвора | 34 nC |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Высота | 9.15 mm |
| Длина | 10.4 mm |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | SuperMESH |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Технология | Si |
| Тип | MOSFET |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки при включении | 16 ns |
| Ширина | 4.6 mm |
| Base Product Number | STP5NK60 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 690pF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Other Related Documents | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Power Dissipation (Max) | 90W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6Ohm @ 2.5A, 10V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | SuperMESHв„ў -> |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50ВµA |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 1.2Ом |
| Power Dissipation | 90Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Непрерывный Ток Стока | 5А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3.75В |
| Рассеиваемая Мощность | 90Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 1.2Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220 |
| Вес, г | 3.144 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 564 КБ
Datasheet STP5NK60Z
pdf, 578 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
