STW35N60DM2
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
21 шт. со склада г.Москва, срок 10-11 дней
2 300 руб.
от 2 шт. —
2 130 руб.
от 5 шт. —
2 020 руб.
от 10 шт. —
1 940 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 300 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор полевой STW35N60DM2 от компании STMicroelectronics – это надежный компонент для силовой электроники. Устройство с монтажом THT гарантирует простую интеграцию в различные электронные схемы. Данный N-MOSFET транзистор имеет ток стока 17 А и выдерживает напряжение сток-исток до 600 В, что делает его идеальным выбором для высоковольтных применений. С мощностью 210 Вт и низким сопротивлением в открытом состоянии всего 0,094 Ом, он отличается высокой эффективностью и минимальными тепловыми потерями. Все это размещено в прочном корпусе TO247, что обеспечивает устойчивость к физическим воздействиям и долгий срок службы. Ищите STW35N60DM2 для ваших проектов, когда требуется надежное и мощное управление током. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | THT |
| Ток стока, А | 17 |
| Напряжение сток-исток, В | 600 |
| Мощность, Вт | 210 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.094 |
| Корпус | TO247 |
Технические параметры
| Brand | STMicroelectronics |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | 1 N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 600 |
| Fall Time | 10.7 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 28 A |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Pd - Power Dissipation | 210 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 54 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 110 mOhms |
| Rise Time | 17 ns |
| RoHS | Details |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 68 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 21.2 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 25 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 28 A |
| Pd - рассеивание мощности | 210 W |
| Qg - заряд затвора | 54 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 110 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 17 ns |
| Время спада | 10.7 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 600 |
| Серия | STW35N60DM2 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Типичное время задержки выключения | 68 ns |
| Типичное время задержки при включении | 21.2 ns |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Base Product Number | STW35 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 28A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 54nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2400pF @ 100V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Power Dissipation (Max) | 210W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 14A, 10V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | MDmeshв„ў DM2 -> |
| Supplier Device Package | TO-247 |
| Vgs (Max) | В±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250ВµA |
| Channel Type | N |
| Forward Diode Voltage | 1.6V |
| Maximum Continuous Drain Current | 28 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 110 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -25 V, +25 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Maximum Power Dissipation | 210 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-247 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 54 nC @ 10 V |
| Width | 5.15mm |
| Вес, г | 4.43 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 701 КБ
Datasheet STW35N60DM2
pdf, 578 КБ
Datasheet STW35N60DM2
pdf, 699 КБ
Datasheet STW35N60DM2
pdf, 568 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
