STD19N3LLH6AG
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
25 шт. со склада г.Москва, срок 6-7 дней
250 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
190 руб.
от 10 шт. —
162 руб.
от 25 шт. —
146.16 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 500 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 10 A, 0.025 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 10A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.7nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 321pF @ 25V |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63 |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Part Status | Discontinued at Digi-Key |
| Power Dissipation (Max) | 30W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33 mOhm @ 5A, 10V |
| Series | STripFETв(ў |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250ВµA |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 653 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
