SIHP18N50C
870 руб.
от 2 шт. —
740 руб.
от 5 шт. —
658 руб.
от 8 шт. —
621.25 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 870 руб.
Описание
Электроэлемент
MOSFET,N CH,W DIO,500V,18A,TO220AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:18A; Drain Source Voltage Vds:500V; On Resistance Rds(on):0.225ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; P
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 18A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 76nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2942pF @ 25V |
| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Packaging | Bulk |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 223W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270mOhm @ 10A, 10V |
| Series | - |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250ВµA |
| Вес, г | 2.8 |
Техническая документация
Документация
pdf, 323 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
