TSM1NB60CP-ROG
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
36 шт. со склада г.Москва, срок 10-11 дней
400 руб.
от 2 шт. —
350 руб.
от 10 шт. —
293 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 400 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор полевой TSM1NB60CP ROG от TAIWAN SEMICONDUCTORS представляет собой высококачественный N-MOSFET компонент, предназначенный для SMD монтажа. Этот транзистор характеризуется током стока 1 А и напряжением сток-исток 600 В, что обеспечивает его применение в широком спектре электронных устройств. С сопротивлением в открытом состоянии всего 10 Ом, он обеспечивает эффективную проводимость и минимальные потери мощности. Упакованный в надежный корпус TO252, TSM1NB60CPROG гарантирует долговечность и стабильность в различных рабочих условиях. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Ток стока, А | 1 |
| Напряжение сток-исток, В | 600 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 10 |
| Корпус | TO252 |
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 1 |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 10000@10V |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 600 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??30 |
| Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | 4.5 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 39000 |
| Military | No |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Standard Package Name | TO-252 |
| Supplier Package | DPAK |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 6.1 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 6.1@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 138@25V |
| Id - непрерывный ток утечки | 1 A |
| Pd - рассеивание мощности | 39 W |
| Qg - заряд затвора | 6.1 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 8 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 6.8 ns |
| Время спада | 14.9 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 0.8 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 15.3 ns |
| Типичное время задержки при включении | 7.7 ns |
| Торговая марка | Taiwan Semiconductor |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Вес, г | 0.9464 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 414 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
