TSM1NB60CP-ROG

Фото 1/2 TSM1NB60CP-ROG
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
36 шт. со склада г.Москва, срок 6-7 дней
400 руб.
от 2 шт.350 руб.
от 10 шт.293 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 400 руб.
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8001964144

Описание

Электроэлемент
Описание Транзистор полевой TSM1NB60CP ROG от TAIWAN SEMICONDUCTORS представляет собой высококачественный N-MOSFET компонент, предназначенный для SMD монтажа. Этот транзистор характеризуется током стока 1 А и напряжением сток-исток 600 В, что обеспечивает его применение в широком спектре электронных устройств. С сопротивлением в открытом состоянии всего 10 Ом, он обеспечивает эффективную проводимость и минимальные потери мощности. Упакованный в надежный корпус TO252, TSM1NB60CPROG гарантирует долговечность и стабильность в различных рабочих условиях. Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид N-MOSFET
Монтаж SMD
Ток стока, А 1
Напряжение сток-исток, В 600
Сопротивление в открытом состоянии, Ом 10
Корпус TO252

Технические параметры

Automotive No
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current - (A) 1
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) 10000@10V
Maximum Drain Source Voltage - (V) 600
Maximum Gate Source Voltage - (V) ??30
Maximum Gate Threshold Voltage - (V) 4.5
Maximum Power Dissipation - (mW) 39000
Military No
Number of Elements per Chip 1
Operating Temperature - (??C) -55~150
Packaging Tape and Reel
Pin Count 3
Standard Package Name TO-252
Supplier Package DPAK
Typical Gate Charge @ 10V - (nC) 6.1
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) 6.1@10V
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) 138@25V
Id - непрерывный ток утечки 1 A
Pd - рассеивание мощности 39 W
Qg - заряд затвора 6.1 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 8 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 600 V
Vgs - напряжение затвор-исток 10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2.5 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 6.8 ns
Время спада 14.9 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 0.8 S
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 2500
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 15.3 ns
Типичное время задержки при включении 7.7 ns
Торговая марка Taiwan Semiconductor
Упаковка Reel, Cut Tape
Упаковка / блок TO-252-3
Вес, г 0.9464

Техническая документация

Datasheet
pdf, 414 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.