BSC027N06LS5ATMA1

BSC027N06LS5ATMA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
790 руб.
от 2 шт.670 руб.
от 4 шт.607 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 790 руб.
Номенклатурный номер: 8001964396

Описание

Электроэлемент
Transistor MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON T/R - Tape and Reel (Alt: BSC027N06LS5ATMA1)

Технические параметры

Channel Mode Enhancement
Continuous Drain Current 23(A)
Drain-Source On-Volt 60(V)
Gate-Source Voltage (Max) 20(V)
Mounting Surface Mount
Number of Elements 1
Operating Temp Range -55C to 150C
Operating Temperature Classification Military
Package Type TDSON EP
Packaging Tape and Reel
Pin Count 8
Polarity N
Power Dissipation 2.5(W)
Rad Hardened No
Type Power MOSFET
Brand: Infineon Technologies
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 5000
Fall Time: 5.4 ns
Forward Transconductance - Min: 60 S
Id - Continuous Drain Current: 100 A
Manufacturer: Infineon
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 1 Channel
Package/Case: TDSON-8
Part # Aliases: BSC027N06LS5 SP001385616
Pd - Power Dissipation: 83 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 30 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 2.3 mOhms
Rise Time: 4.8 ns
Series: BSC027N
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Tradename: OptiMOS 5
Transistor Polarity: N-Channel
Transistor Type: 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 25 ns
Typical Turn-On Delay Time: 7.7 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 60 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 1.1 V
Вес, г 0.12

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1329 КБ
Datasheet BSC027N06LS5ATMA1
pdf, 1134 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов