STW11NM80
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
9 шт. со склада г.Москва, срок 6-7 дней
1 590 руб.
от 2 шт. —
1 450 руб.
от 5 шт. —
1 350 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 590 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор полевой STW11NM80 от STMicroelectronics — высокомощный компонент для силовой электроники. Устройство выполнено в надежном корпусе TO247, предназначенном для монтажа THT (сквозное отверстие). Способно выдерживать ток стока до 8 А и напряжение сток-исток до 800 В, что делает его идеальным для высоковольтных применений. Мощность транзистора достигает 150 Вт, а сопротивление в открытом состоянии составляет всего 0,35 Ом, обеспечивая эффективную работу с минимальными потерями. Тип N-MOSFET подчеркивает эффективность и надежность использования в различных схемах. Код товара STW11NM80 гарантирует соответствие международным стандартам качества и безопасности. Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | N-MOSFET |
Монтаж | THT |
Ток стока, А | 8 |
Напряжение сток-исток, В | 800 |
Мощность, Вт | 150 |
Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.35 |
Корпус | TO247 |
Технические параметры
Brand | STMicroelectronics |
Channel Mode | Enhancement |
Configuration | Single |
Factory Pack Quantity | 600 |
Fall Time | 15 ns |
Forward Transconductance - Min | 8 S |
Height | 20.15 mm |
Id - Continuous Drain Current | 11 A |
Length | 15.75 mm |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -65 C |
Mounting Style | Through Hole |
Number of Channels | 1 Channel |
Package / Case | TO-247-3 |
Packaging | Tube |
Pd - Power Dissipation | 150 W |
Product Category | MOSFET |
Rds On - Drain-Source Resistance | 400 mOhms |
Rise Time | 17 ns |
RoHS | Details |
Series | N-channel MDmesh |
Technology | Si |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 1 N-Channel |
Type | MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time | 46 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 22 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 800 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
Width | 5.15 mm |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 11 A |
Maximum Drain Source Resistance | 400 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
Maximum Power Dissipation | 150 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-247 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 43.6 nC @ 10 V |
Brand: | STMicroelectronics |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 600 |
Fall Time: | 15 ns |
Forward Transconductance - Min: | 8 S |
Id - Continuous Drain Current: | 11 A |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -65 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | TO-247-3 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 150 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 43.6 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 400 mOhms |
Rise Time: | 17 ns |
Series: | STW11NM80 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | MDmesh |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Type: | MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time: | 46 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 22 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 800 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
Вес, г | 6.288 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 904 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 906 КБ
Datasheet STB11NM80T4
pdf, 888 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.