IRFH5304
260 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
200 руб.
от 10 шт. —
169 руб.
от 18 шт. —
157.50 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 520 руб.
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 30V, 79A, PQFN; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:79A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0038ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.8V; Power Dissipation Pd:46W; Transistor Case Style:PQFN; No. of Pins:8Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:HEXFET Series; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 22A(Ta), 79A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2360pF @ 10V |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Packaging | Tape & Reel(TR) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.6W(Ta), 46W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 47A, 10V |
| Series | HEXFETВ® |
| Supplier Device Package | 8-PQFN(5x6) |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 50ВµA |
Техническая документация
Документация
pdf, 1004 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
