STF22NM60N
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
21 шт. со склада г.Москва, срок 9-10 дней
730 руб.
от 2 шт. —
620 руб.
от 5 шт. —
537 руб.
от 10 шт. —
500 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 730 руб.
Альтернативные предложения4
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 600В, 10А, 30Вт, TO220FP Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Brand | STMicroelectronics |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Fall Time | 38 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 16 A |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Packaging | Tube |
| Pd - Power Dissipation | 30 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 44 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 220 mOhms |
| Rise Time | 18 ns |
| RoHS | Details |
| Series | N-channel MDmesh |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 74 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 11 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 650 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 16 A |
| Pd - рассеивание мощности | 30 W |
| Qg - заряд затвора | 44 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 220 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 18 ns |
| Время спада | 38 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | STF22NM60N |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 74 ns |
| Типичное время задержки при включении | 11 ns |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
cd00237949-1797000
pdf, 579 КБ
Datasheet STF22NM60N
pdf, 579 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
