STN4NF06L
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
8 шт. со склада г.Москва, срок 8-9 дней
370 руб.
от 2 шт. —
280 руб.
от 5 шт. —
211 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 370 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 60V, 4A, SOT-223; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.07ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.8V; Power
Технические параметры
| Brand | STMicroelectronics |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single Dual Drain |
| Factory Pack Quantity | 4000 |
| Fall Time | 10 ns |
| Height | 1.8 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 4 A |
| Length | 6.5 mm |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | SOT-223-3 |
| Packaging | Reel |
| Pd - Power Dissipation | 3.3 W |
| Product Category | MOSFET |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 100 mOhms |
| Rise Time | 25 ns |
| RoHS | Details |
| Series | N-channel STripFET |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 20 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 9 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 16 V |
| Width | 3.5 mm |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 654 КБ
Datasheet STN4NF06L
pdf, 606 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
