STGF3NC120HD
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5 шт. со склада г.Москва, срок 9-10 дней
550 руб.
от 2 шт. —
450 руб.
от 5 шт. —
368 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 550 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор: IGBT, 1,2кВ, 3А, 25Вт, TO220FP Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | БТИЗ |
Вид | IGBT |
Технические параметры
Brand | STMicroelectronics |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 1200 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 2.8 V |
Configuration | Single |
Continuous Collector Current | 3 A |
Continuous Collector Current at 25 C | 6 A |
Continuous Collector Current Ic Max | 6 A |
Factory Pack Quantity | 1000 |
Gate-Emitter Leakage Current | +/-100 nA |
Height | 9.3 mm |
Length | 10.4 mm |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20 V |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | Through Hole |
Package / Case | TO-220-3 FP |
Packaging | Tube |
Pd - Power Dissipation | 25 W |
Product Category | IGBT Transistors |
RoHS | Details |
Series | 900-1300V IGBTs |
Technology | Si |
Width | 4.6 mm |
Case | TO220FP |
Collector current | 3A |
Collector-emitter voltage | 1.2kV |
Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |
Gate charge | 24nC |
Gate-emitter voltage | ±20V |
Kind of package | tube |
Mounting | THT |
Power dissipation | 25W |
Pulsed collector current | 20A |
Type of transistor | IGBT |
Вес, г | 3.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 763 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.