STGY40NC60VD
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
9 шт. со склада г.Москва, срок 9-10 дней
2 410 руб.
от 2 шт. —
2 240 руб.
от 5 шт. —
2 120 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 410 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 260000mW 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
Технические параметры
Brand | STMicroelectronics |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 600 V |
Configuration | Single |
Continuous Collector Current Ic Max | 80 A |
Factory Pack Quantity | 30 |
Height | 20.3 mm |
Length | 15.9 mm |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20 V |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | Through Hole |
Package / Case | Max247-3 |
Packaging | Tube |
Product Category | IGBT Transistors |
RoHS | Details |
Series | 600-650V IGBTs |
Width | 5.3 mm |
Brand: | STMicroelectronics |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.9 V |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current at 25 C: | 80 A |
Continuous Collector Current Ic Max: | 80 A |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 600 |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Package/Case: | Max247-3 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 260 W |
Product Category: | IGBT Transistors |
Product Type: | IGBT Transistors |
Series: | STGY40NC60VD |
Subcategory: | IGBTs |
Technology: | Si |
Tradename: | PowerMESH |
Вес, г | 5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 275 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.