STP200NF04
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 шт. со склада г.Москва, срок 6-7 дней
310 руб.
от 2 шт. —
210 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 310 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Электроэлемент
Описание MOSFET транзистор, TO-220
Технические параметры
| Automotive | Yes |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 120 |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 3.7@10V |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 40 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 310000 |
| Military | No |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Temperature - (??C) | -55~175 |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Process Technology | STripFET II |
| Standard Package Name | TO-220 |
| Supplier Package | TO-220 |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 170 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 170@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 5100@25V |
| кол-во в упаковке | 50 |
| Вес, г | 3.5 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
