Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ST Microelectronics › STD60NF06T4

STD60NF06T4

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

18 шт. со склада г.Москва, срок 6-7 дней

400 руб.

от 2 шт. — 300 руб.

от 5 шт. — 235 руб.

от 10 шт. — 209.16 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 400 руб.

Альтернативные предложения3

Номенклатурный номер: 8001992294

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Электроэлемент

Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 42А, 110Вт, DPAK

Технические параметры

Brand	STMicroelectronics
Channel Mode	Enhancement
Configuration	Single
Factory Pack Quantity	2500
Fall Time	20 ns
Forward Transconductance - Min	20 S
Height	2.4 mm
Id - Continuous Drain Current	60 A
Length	6.6 mm
Manufacturer	STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature	+175 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	SMD/SMT
Number of Channels	1 Channel
Package / Case	TO-252-3
Packaging	Reel
Pd - Power Dissipation	110 W
Product Category	MOSFET
Rds On - Drain-Source Resistance	14 mOhms
Rise Time	108 ns
RoHS	Details
Series	STD60NF06
Technology	Si
Transistor Polarity	N-Channel
Transistor Type	1 N-Channel
Type	MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time	43 ns
Typical Turn-On Delay Time	16 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	60 V
Vgs - Gate-Source Voltage	20 V
Width	6.2 mm
Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.014Ом
Power Dissipation	110Вт
Квалификация	-
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	-
Максимальная Рабочая Температура	175°C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	60В
Непрерывный Ток Стока	60А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	4В
Рассеиваемая Мощность	110Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.014Ом
Стиль Корпуса Транзистора	TO-252(DPAK)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Вес, г	2.5