BSZ086P03NS3EG
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
290 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
230 руб.
от 6 шт. —
213 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 580 руб.
Описание
Электроэлемент
MOSFET Transistor, P Channel, -40 A, -30 V, 0.0065 ohm, -10 V, -2.5 V , RoHS Compliant: Yes
Технические параметры
| RoHS Compliant | Yes |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Fall Time: | 8 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 30 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 40 A |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TSDSON-8 |
| Part # Aliases: | BSZ86P3NS3EGXT SP000473016 BSZ086P03NS3EGATMA1 |
| Pd - Power Dissipation: | 69 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 57.5 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 6.5 mOhms |
| Rise Time: | 46 ns |
| Series: | OptiMOS P3 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | OptiMOS |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 35 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 16 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.1 V |
| Вес, г | 0.2 |
Техническая документация
Datasheet BSZ086P03NS3E G
pdf, 549 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
