MJD31CT4
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
47 шт. со склада г.Москва, срок 6-7 дней
170 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
120 руб.
от 10 шт. —
93 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 340 руб.
Альтернативные предложения4
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор: NPN, биполярный, 100В, 3А, 15Вт, DPAK Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | биполярный |
| Вид | NPN |
Технические параметры
| Brand | STMicroelectronics |
| Collector- Base Voltage VCBO | 100 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 100 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.2 V |
| Configuration | Single |
| Continuous Collector Current | 3 A |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 20 |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
| Factory Pack Quantity | 2500 |
| Height | 2.4 mm(Max) |
| Length | 6.6 mm(Max) |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Maximum DC Collector Current | 3 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -65 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | TO-252-3 |
| Packaging | Reel |
| Pd - Power Dissipation | 15 W |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| RoHS | Details |
| Series | MJD31CT4 |
| Transistor Polarity | NPN |
| Width | 6.2 mm(Max) |
| Maximum Collector Base Voltage | 100 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 100 V |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Power Dissipation | 15 W |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Type | NPN |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 100 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 100 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.2 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current: | 3 A |
| DC Collector/Base Gain hFE Min: | 20 |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum DC Collector Current: | 3 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package/Case: | TO-252-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 15 W |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Series: | MJD31C |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Вес, г | 0.54 |
Техническая документация
CD00158496
pdf, 401 КБ
Datasheet
pdf, 399 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 259 КБ
Datasheet
pdf, 388 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
