STD4NK50ZT4
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
56 шт. со склада г.Москва, срок 6-7 дней
230 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
180 руб.
от 10 шт. —
148 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 460 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 500В, 1,9А, 45Вт, DPAK
Технические параметры
| Brand | STMicroelectronics |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 2500 |
| Fall Time | 11 ns |
| Forward Transconductance - Min | 1.5 S |
| Height | 2.4 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 3 A |
| Length | 6.6 mm |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-252-3 |
| Packaging | Reel |
| Pd - Power Dissipation | 45 W |
| Product Category | MOSFET |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 2.4 Ohms |
| Rise Time | 7 ns |
| RoHS | Details |
| Series | STD4NK50Z |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Type | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time | 21 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 10 ns |
| Unit Weight | 0.139332 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 500 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| Width | 6.2 mm |
| Id - непрерывный ток утечки | 3 A |
| Pd - рассеивание мощности | 45 W |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.4 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 7 ns |
| Время спада | 11 ns |
| Высота | 2.4 mm |
| Длина | 6.6 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 1.5 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Серия | STD4NK50Z |
| Технология | Si |
| Тип | MOSFET |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 21 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10 ns |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Ширина | 6.2 mm |
| Вес, г | 0.66 |
Техническая документация
Datasheet STD4NK50ZT4
pdf, 571 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
