Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные с изолированным затвором (IGBTs) › ST Microelectronics › STGD7NC60HT4

STGD7NC60HT4

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

8 шт. со склада г.Москва, срок 8-9 дней

820 руб.

от 2 шт. — 700 руб.

от 5 шт. — 624 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 820 руб.

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8001998188

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Электроэлемент

IGBT, SINGLE, 600V, 25A, TO-252; DC Collector Current:25A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.85V; Power Dissipation Pd:70W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pins:

Технические параметры

Channel Type	N
Configuration	Single
Maximum Collector Emitter Voltage	600 V
Maximum Continuous Collector Current	25 A
Maximum Gate Emitter Voltage	?20 V
Mounting	Surface Mount
Package	3DPAK
Packaging	Tape & Reel
Rad Hard	No
Pd - рассеивание мощности	70 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	2.4 mm
Длина	6.6 mm
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	+/- 20 V
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	2.5 V
Непрерывный коллекторный ток	14 A
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	25 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.	25 A
Подкатегория	IGBTs
Размер фабричной упаковки	2500
Серия	STGD7NC60HT4
Технология	Si
Тип продукта	IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер	+/- 100 nA
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка / блок	TO-252-3
Ширина	6.2 mm
Collector Emitter Saturation Voltage	1.85В
Collector Emitter Voltage Max	600В
Continuous Collector Current	25А
Power Dissipation	70Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	PowerMESH
Монтаж транзистора	Surface Mount
Стиль Корпуса Транзистора	TO-252(DPAK)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный