DTA143EKAT146
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
311 шт. со склада г.Москва, срок 6-9 дней
100 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
45 руб.
от 10 шт. —
28 руб.
от 100 шт. —
13.99 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 200 руб.
Альтернативные предложения5
Описание
Электроэлемент
TRANSISTOR; Digital Transistor Polarity:Single PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Continuous Collector Current Ic:-100mA; Base Input Resistor R1:4.7kohm; Base-Emitter Resistor R2:4.7kohm; Resistor Ratio, R1 / R
Технические параметры
Brand | ROHM Semiconductor |
Configuration | Single |
Continuous Collector Current | -100 mA |
DC Collector/Base Gain hfe Min | 30 |
DC Current Gain hFE Max | 30 |
Factory Pack Quantity | 3000 |
Height | 1.1 mm |
Length | 2.9 mm |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | SC-59-3 |
Packaging | Reel |
Pd - Power Dissipation | 200 mW |
Peak DC Collector Current | 100 mA |
Product Category | Bipolar Transistors-Pre-Biased |
RoHS | Details |
Series | DTA143EKA |
Transistor Polarity | PNP |
Typical Input Resistor | 4.7 kOhms |
Typical Resistor Ratio | 1 |
Unit Weight | 0.000282 oz |
Width | 1.6 mm |
Base Product Number | DTA143 -> |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V |
ECCN | EAR99 |
Frequency - Transition | 250MHz |
HTSUS | 8541.21.0075 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Other Related Documents | http://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/transisto |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
Power - Max | 200mW |
REACH Status | REACH Unaffected |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 4.7 kOhms |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Simulation Models | http://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d |
Supplier Device Package | SMT3 |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500ВµA, 10mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Base-Emitter Resistor | 4.7kΩ |
Maximum DC Collector Current | -100 mA |
Minimum DC Current Gain | 30 |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SMT |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Вес, г | 0.032 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Документация
pdf, 4078 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.