STGD18N40LZT4
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 шт. со склада г.Москва, срок 9-10 дней
700 руб.
от 2 шт. —
600 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 700 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
IGBT, 400V, 25A, DPAK; DC Collector Current:25A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.35V; Power Dissipation Pd:125W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:390V; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pins:3Pins; Op
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 360 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 25 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 12 V |
| Mounting | Surface Mount |
| Package | 3DPAK |
| Packaging | Tape & Reel |
| Rad Hard | No |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 420 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.35 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 10 A |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 25 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -12 V, 16 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | DPAK-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 150 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Series: | STGD18N40LZ |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
