STL21N65M5
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 шт. со склада г.Москва, срок 6-7 дней
1 370 руб.
от 2 шт. —
1 290 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 370 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
Trans MOSFET N-CH Si 650V 17A 5-Pin Power Flat T/R
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 17 |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 190@10V |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 650 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??25 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 125000 |
| Military | No |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 5 |
| Process Technology | MDmesh |
| Supplier Package | Power Flat |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 44 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 44@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 1950@100V |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1047 КБ
Документация
pdf, 1048 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
