STP3N62K3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
14 шт. со склада г.Москва, срок 6-7 дней
690 руб.
от 2 шт. —
580 руб.
от 5 шт. —
502 руб.
от 10 шт. —
466.25 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 690 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
N-channel 620 V, 2.2 Ohm typ., 2.7 A SuperMESH3(TM) Power MOSFET in TO-220 package
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 2.7A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 620V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 385pF @ 25V |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 45W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5 Ohm @ 1.4A, 10V |
| Series | SuperMESH3в(ў |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50ВµA |
Техническая документация
...3N62K3
pdf, 543 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
