IRF8721
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
210 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
150 руб.
от 10 шт. —
126 руб.
от 95 шт. —
104.13 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 420 руб.
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 30V, 14A, SOIC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:14A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0069ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.35V; Power Dissipation Pd:2.5W; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:HEXFET Series; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Технические параметры
Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
Документация
pdf, 237 КБ
Datasheet IRF8721
pdf, 229 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов