BF998

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

130 руб.

Мин. кол-во для заказа 2 шт.

от 5 шт. — 73 руб.

от 10 шт. — 56 руб.

от 100 шт. — 38.50 руб.

Добавить в корзину 2 шт. на сумму 260 руб.

Номенклатурный номер: 8002012536

Электроэлемент

Полевой транзистор N-канальный радиочастотный двухзатворный 12В 30мА 200мВт 1ГГц Tch=150°C

Brand	Infineon Technologies
Channel Mode	Enhancement
Configuration	Single Dual Gate
Factory Pack Quantity	9000
Height	1 mm
Id - Continuous Drain Current	30 mA
Length	2.9 mm
Manufacturer	Infineon
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	SOT-143
Packaging	Reel
Part # Aliases	BF998E6327HTSA1 BF998E6327XT SP000010978
Pd - Power Dissipation	200 mW
Product Category	RF MOSFET Transistors
RoHS	Details
Series	BF998
Technology	Si
Transistor Polarity	N-Channel
Type	RF Small Signal MOSFET
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	12 V
Vgs - Gate-Source Voltage	8 V to 12 V
Width	1.3 mm
Вес, г	10

Мы рекомендуем