STF23NM50N
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 шт. со склада г.Москва, срок 9-10 дней
2 220 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 220 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ ||, полевой, 500В, 11А, 30Вт, TO220FP Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Brand | STMicroelectronics |
Channel Mode | Enhancement |
Configuration | Single |
Factory Pack Quantity | 1000 |
Fall Time | 29 ns |
Id - Continuous Drain Current | 17 A |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | Through Hole |
Number of Channels | 1 Channel |
Package / Case | TO-220-3 |
Packaging | Tube |
Pd - Power Dissipation | 30 W |
Product Category | MOSFET |
Qg - Gate Charge | 45 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance | 190 mOhms |
Rise Time | 19 ns |
RoHS | Details |
Series | N-channel MDmesh |
Technology | Si |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 71 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 6.6 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 500 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 25 V |
Brand: | STMicroelectronics |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
Fall Time: | 29 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 17 A |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | TO-220-3 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 30 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 45 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 190 mOhms |
Rise Time: | 19 ns |
Series: | STF23NM50N |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | MDmesh |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 71 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 6.6 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 500 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
Вес, г | 3.5 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.