STP3NK60ZFP
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
161 шт. со склада г.Москва, срок 6-7 дней
470 руб.
от 2 шт. —
370 руб.
от 5 шт. —
295 руб.
от 10 шт. —
269.64 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 470 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 1,51А, 20Вт, TO220FP Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Brand | STMicroelectronics |
Channel Mode | Enhancement |
Configuration | Single |
Factory Pack Quantity | 1000 |
Fall Time | 14 ns |
Height | 9.3 mm |
Id - Continuous Drain Current | 2.4 A |
Length | 10.4 mm |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | Through Hole |
Number of Channels | 1 Channel |
Package / Case | TO-220FP-3 |
Packaging | Tube |
Pd - Power Dissipation | 20 W |
Product Category | MOSFET |
Rds On - Drain-Source Resistance | 3.6 Ohms |
Rise Time | 14 ns |
RoHS | Details |
Series | N-channel MDmesh |
Technology | Si |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 19 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 9 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
Width | 4.6 mm |
Automotive | No |
Channel Type | N |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant with Exemption |
Lead Shape | Through Hole |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 2.4 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 3600 10V |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 600 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±30 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 20000 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Part Status | Active |
PCB changed | 3 |
Pin Count | 3 |
PPAP | No |
Process Technology | SuperMESH |
Standard Package Name | TO-220 |
Supplier Package | TO-220FP |
Tab | Tab |
Typical Fall Time (ns) | 14 |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 11.8 |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 11.8 10V |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 311 25V |
Typical Rise Time (ns) | 14 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 19 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 9 |
Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 997 КБ
Datasheet 3NK60
pdf, 932 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.